1、石英晶振接板時(shí)在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設(shè)地線，以免形成電容影響晶振頻率的準(zhǔn)確性。關(guān)于第3點(diǎn)非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導(dǎo)致晶體起振困難或者振蕩不穩(wěn)定。

如果晶振不起振也有可能線路板問題，焊接如果偏離一點(diǎn)位置，會(huì)有一些不一樣的影響 

購買晶振時(shí)要注意的幾項(xiàng)參數(shù)

2、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。

3、工作頻率：石英晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。

4、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。

5、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。

6、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化

7、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

8、負(fù)載電容：與石英晶振一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。

9 、負(fù)載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

10、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，石英晶振與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

11、動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。